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    深紫外（DUV）激光器依附其高光子能量及短波长特征，于半导体光刻、高分辩率光谱学、周详质料加工及量子技能等范畴阐扬着要害作用。与准份子激光器或者气体放电激光器比拟，这种激光用具有更高的相关性及更低的功耗，为体系小型化成长提供了可能。

据《Advanced Photonics Nexus》报导，中国科学院研究团队取患上主要冲破，乐成研制出可孕育发生193纳米相关光的紧凑型全固态激光体系。该波长对于在光刻工艺至关主要，该工艺经由过程于硅晶圆上蚀刻繁杂电路图案，组成了现代电子装备的制造基础。

该新型激光体系事情反复频率为6千赫兹，采用自立研发的掺镱钇铝石榴石（Yb:YAG）晶体放年夜器孕育发生1030纳米基频光。

试验装配

激光器输出分为两路：一起经由过程四次谐波转换天生258纳米紫外光（输出功率1.2瓦），另外一路驱动光学参量放年夜器孕育发生1553纳米激光（功率700毫瓦）。

随后，这两束光经级联LBO（三硼酸锂，LiB3O5）晶体举行混频，终极得到平均功率70毫瓦、线宽小在880兆赫的193纳米深紫外激光输出。

研究团队立异性地于混频前对于1553纳米光束加载螺旋相位板，乐成得到了携带轨道角动量的涡旋光束。这标记着国际上初次实现固态激光器直接输出193纳米涡旋光束。

该冲破性结果不仅为混淆型ArF准份子激光器提供了新型种子光源，更于晶圆加工、缺陷检测、量子通讯及光学微操控等范畴揭示出主要运用远景。

这项立异激光技能不仅晋升了半导体光刻的效率及精度，更为进步前辈制造技能斥地了新路径。

193纳米涡旋光束的乐成孕育发生，或者将激发电子器件制造范畴的革命性厘革，鞭策相干技能取患上冲破性进展。

相干链接：https://dx.doi.org/10.1117/1.APN.4.2.026011

转自：光行全国

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